10月12日，微電子所團(tuán)委、青促會(huì)聯(lián)合舉辦微電子所“崗位大練兵暨第二屆青年技術(shù)能手”大賽系列活動(dòng)學(xué)術(shù)報(bào)告會(huì)，邀請(qǐng)微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心主任、研究員、趙超老師作《集成電路工藝技術(shù)的沿革》報(bào)告，150余名科研人員及學(xué)生參加報(bào)告會(huì)。報(bào)告會(huì)由所團(tuán)委書記武錦主持。 

　　報(bào)告從CMOS制造工藝目前采用的主要設(shè)備和工藝技術(shù)出發(fā)，介紹了各單步工藝的特點(diǎn)和近30年來(lái)的發(fā)展歷史，介紹了超凈間技術(shù)、光刻、薄膜、刻蝕、清洗和CMP等技術(shù)，其中薄膜工藝重點(diǎn)介紹了PVD、 CVD、外延工藝、原子層沉積（ALD）技術(shù)。此外，報(bào)告還介紹了工藝設(shè)備6寸線、8寸線、12寸線的發(fā)展歷程和各代技術(shù)的主要特點(diǎn)，并對(duì)未來(lái)18寸線的發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了展望。趙超研究員的報(bào)告兼顧專業(yè)性和趣味性，他結(jié)合研究室的實(shí)際科研內(nèi)容，對(duì)集成電路制作工藝給出了完整而清晰的概述，無(wú)論對(duì)集成電路工藝感興趣的聽眾還是對(duì)專業(yè)從事集成電路工藝研發(fā)的專業(yè)科研人員者都是一場(chǎng)難得的普及基礎(chǔ)知識(shí)的良好機(jī)會(huì)，與會(huì)人員都表示受益匪淺。 

　　此次報(bào)告會(huì)是微電子所團(tuán)委“崗位大練兵暨第二屆青年技術(shù)能手大賽”系列活動(dòng)之一。未來(lái)所團(tuán)委還將開展更多相關(guān)后續(xù)活動(dòng)，調(diào)動(dòng)廣大青年職工和學(xué)生在工作中爭(zhēng)當(dāng)技術(shù)能手的積極性，為研究所“創(chuàng)新2020”和“一三五”規(guī)劃深入實(shí)施建功獻(xiàn)力。 

　　趙超研究員作報(bào)告 

　　報(bào)告會(huì)現(xiàn)場(chǎng)