11月4日，中科院微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心（十室）研究生劉佳在駱志炯研究員指導(dǎo)下完成的題為Low Leakage Bulk Silicon Substrate Based SDOI FINFETs的論文被International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(ICSICT-2010) 評(píng)為最佳學(xué)生論文。

　　劉佳在論文中對(duì)駱志炯研究員提出的SDOI FINFET器件結(jié)構(gòu)做了大量深入研究工作，并取得了重要成果。該項(xiàng)研究工作得到了02重大科技專項(xiàng)的支持。

　　FINFET以其優(yōu)秀的柵控能力及有效改善短溝效應(yīng)等優(yōu)點(diǎn)，成為32nm特征尺寸以后有力的候選器件。新型的SDOI FINFETs 結(jié)合了Bulk FINFETs 和 SOI FINFETs 的優(yōu)點(diǎn)，可以實(shí)現(xiàn)低漏電并提高襯底散熱能力。TCAD模擬表明，SDOI FINFETs 在取代平面MOS器件方面展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。

　　ICSICT是在中國大陸舉辦的最具影響力的微電子學(xué)國際會(huì)議。該會(huì)議今年共收到來自28個(gè)國家的多所著名研究機(jī)構(gòu)800多篇論文投稿，最終接受口頭報(bào)告345個(gè)，展板報(bào)告295個(gè)。