“青年論壇”旨在為國內(nèi)微電子領(lǐng)域青年科研科技工作者搭建一個加強學(xué)術(shù)交流、促進學(xué)科交叉的自由開放、兼容并包的學(xué)術(shù)平臺。論壇由所青促會主辦，所團委、科技處、人事處、信息中心聯(lián)合承辦。論壇分為主會場報告會和分會場報告會兩個環(huán)節(jié)。主會場由微電子所所長助理、科技處處長王文武主持。

　　在主會場報告會上，微電子所所長葉甜春對與會嘉賓表示熱烈歡迎，對本次論壇的主旨和組織工作給予了充分認(rèn)可，對與會青年科研工作者的工作給予高度評價，勉勵大家勇?lián)厝危谖㈦娮宇I(lǐng)域砥礪前行、積極作為。

　　微電子所劉明院士作了題為《享受科研工作中的快樂和挑戰(zhàn)》的報告，從成長歷程、職業(yè)規(guī)劃、家庭和諧、做人做事原則等方面分享了工作和生活經(jīng)驗。微電子所副總工程師韓鄭生研究員作了題為《半導(dǎo)體器件的總劑量效應(yīng)》的報告，講解了半導(dǎo)體器件抗輻照研究的重要性，分析了其應(yīng)用需求。存儲器中心主任霍宗亮研究員作了題為《3D NAND閃存存儲器工藝與器件技術(shù)前沿進展》的報告，詳細介紹了3D NAND閃存存儲器的研究歷史和發(fā)展現(xiàn)狀。三位專家的報告讓與會人員對工作與生活的關(guān)系、微電子領(lǐng)域前沿技術(shù)的有了更深入的理解。

　　分會場報告會圍繞存儲技術(shù)、邏輯技術(shù)、高頻高壓技術(shù)、5G與物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)等四個主題展開，邀請相關(guān)領(lǐng)域優(yōu)秀青年人才作專題報告。在存儲技術(shù)分會場，嘉賓就下一代新型存儲技術(shù)的研究現(xiàn)狀、面臨的挑戰(zhàn)以及未來發(fā)展方向進行了報告。在邏輯技術(shù)分會場，嘉賓分享了各自的最新研究進展，展望了未來發(fā)展趨勢，并圍繞FinFET技術(shù)、高遷移率鍺溝道材料、自旋器件、可靠性等方向展開探討。在高頻高壓技術(shù)分會場，嘉賓從材料外延、器件工藝、電路設(shè)計和模塊應(yīng)用等方面探討了SiC、GaN以及InP基器件相關(guān)技術(shù)問題和應(yīng)用挑戰(zhàn)。在5G與物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)分會場，來自產(chǎn)學(xué)研領(lǐng)域的多位青年專家講解了面向未來的5G與物聯(lián)網(wǎng)新通信時代的產(chǎn)業(yè)應(yīng)用、核心芯片技術(shù)及挑戰(zhàn)與未來發(fā)展趨勢。前瞻性的發(fā)言引發(fā)了現(xiàn)場聽眾的強烈共鳴，大家紛紛就感興趣的話題同嘉賓展開交流，現(xiàn)場始終沉浸在濃厚的學(xué)術(shù)氛圍之中。

　　本次論壇主題明確、內(nèi)容豐富、觀點前沿，與會人員進行了充分交流，不斷碰撞出思想火花。大家均表示受益良多，希望將青年論壇常態(tài)化，為促進青年科研工作者合作交流搭建高水平平臺。

　　葉甜春（左上）致辭，劉明（右上）、韓鄭生（左下）、霍宗亮（右下）作報告

　　論壇主會場

　　論壇分會場