| 專利名稱 | 發(fā)明人 | 申請?zhí)?/th> | 申請日期 |
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| 氧化硅及氮化硅雙層復(fù)合側(cè)墻的刻蝕方法 | 孟令款; | 201210228815.6 | 2012-07-02 |
| 半導(dǎo)體器件制造方法 | 韓鍇;王曉磊;王文武;楊紅;馬雪麗; | 201210228598.0 | 2012-07-02 |
| 半導(dǎo)體器件制造方法 | 鐘匯才;梁擎擎;趙超; | 201210229040.4 | 2012-07-02 |
| 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法 | 朱慧瓏;尹海洲;駱志炯; | 201210417331.6 | 2012-10-26 |
| 準(zhǔn)納米線晶體管及其制造方法 | 朱慧瓏;梁擎擎;尹海洲;駱志炯; | 201210407807.8 | 2012-10-23 |
| 鰭型場效應(yīng)晶體管的制造方法 | 朱慧瓏;駱志炯;尹海洲;梁擎擎; | 201210407809.7 | 2012-10-23 |
| 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法 | 尹海洲;蔣葳;朱慧瓏; | 201210397791.7 | 2012-10-18 |
| 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法 | 朱慧瓏;尹海洲;駱志炯; | 201210385128.5 | 2012-10-11 |
| 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法 | 尹海洲;朱慧瓏; | 201210362926.6 | 2012-09-25 |
| 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法 | 尹海洲;朱慧瓏; | 201210362169.2 | 2012-09-25 |
| 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法 | 鐘匯才;梁擎擎;楊達(dá);趙超; | 201210310953.9 | 2012-08-28 |
| 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法 | 鐘匯才;梁擎擎; | 201210303691.3 | 2012-08-23 |
| 一種制造場效應(yīng)晶體管的方法 | 鐘匯才;梁擎擎; | 201210331130.4 | 2012-09-10 |
| 一種淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)及其制造方法 | 鐘匯才;趙超;梁擎擎; | 201210331626.1 | 2012-09-10 |
| MOSFET的制造方法 | 尹海洲;秦長亮;朱慧瓏; | 201210407433.X | 2012-10-23 |
科研產(chǎn)出