日前，由中國科學(xué)院微電子研究所設(shè)計研發(fā)的15-43A /1200V IGBT系列產(chǎn)品（采用Planar NPT器件結(jié)構(gòu)）在華潤微電子工藝平臺上流片成功，各項參數(shù)均達(dá)到設(shè)計要求，部分性能優(yōu)于國外同類產(chǎn)品。這是國內(nèi)首款自主研制可產(chǎn)業(yè)化的IGBT（絕緣柵雙極晶體管）產(chǎn)品，標(biāo)志著我國全國產(chǎn)化IGBT芯片產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程取得了重大突破，擁有了第一條專業(yè)的完整通過客戶產(chǎn)品設(shè)計驗證的IGBT工藝線。 

　　該科研成果主要面向家用電器應(yīng)用領(lǐng)域，聯(lián)合江蘇矽萊克電子科技有限公司進(jìn)行市場推廣，目前正由國內(nèi)著名的家電企業(yè)用戶試用，微電子所和華潤微電子將聯(lián)合進(jìn)一步推動國產(chǎn)自主IGBT產(chǎn)品的大批量生產(chǎn)。 

　　IGBT作為新型電力電子器件的典型代表，廣泛應(yīng)用于智能電網(wǎng)、新能源發(fā)電、新能源汽車、工業(yè)變頻、機電一體化、家用電器等諸多領(lǐng)域，是關(guān)系國家能源、交通、工業(yè)、家電等國計民生的核心電子元器件。由于國內(nèi)IGBT制造工藝的落后，嚴(yán)重制約了我國IGBT產(chǎn)品的全國產(chǎn)化和產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，技術(shù)和市場完全被少數(shù)國外企業(yè)壟斷，尤其在高端應(yīng)用領(lǐng)域。 

　　定位于“滿足國家戰(zhàn)略需求” 目標(biāo)的中國科學(xué)院微電子研究所，在VDMOS、IGBT等功率器件領(lǐng)域的研制有二十多年的技術(shù)積累和基礎(chǔ)，為我國微電子技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展做出了重要貢獻(xiàn)，培育了一批優(yōu)秀的功率器件和工藝設(shè)計研發(fā)團隊，建設(shè)擁有世界先進(jìn)的功率器件全參數(shù)測試平臺，并正在建設(shè)全面的可靠性設(shè)計測試分析平臺。為面向國家新興戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)，微電子所正致力于智能電網(wǎng)和電動汽車等高端應(yīng)用領(lǐng)域的IGBT產(chǎn)品開發(fā)。