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科研動(dòng)態(tài)

微電子所“等離子體增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng)”在第二十屆全國(guó)發(fā)明展上榮獲金獎(jiǎng)

稿件來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2011-09-21

  在剛剛閉幕的第二十屆全國(guó)發(fā)明展覽會(huì)上,微電子所微電子設(shè)備技術(shù)研究室(八室)參展的“等離子體增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng)(ALD)”憑借多項(xiàng)原創(chuàng)發(fā)明喜獲展覽會(huì)金獎(jiǎng),成為本屆展會(huì)中科院系統(tǒng)唯一獲此殊榮的項(xiàng)目。

  本屆發(fā)明展覽會(huì)經(jīng)科技部批準(zhǔn),由中國(guó)發(fā)明協(xié)會(huì)、山東省人民政府、威海市人民政府主辦,以“技術(shù)創(chuàng)新、改善民生、協(xié)調(diào)發(fā)展”為主題,共設(shè)有400個(gè)展位,展出了近1600項(xiàng)優(yōu)秀專(zhuān)利發(fā)明和科技成果。

  經(jīng)北京市發(fā)明協(xié)會(huì)和首都科技條件平臺(tái)推薦,由微電子所八室主任夏洋研究員領(lǐng)銜的研究團(tuán)隊(duì)共有兩項(xiàng)成果參展,其中“等離子體增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng)”憑借多項(xiàng)重要發(fā)明專(zhuān)利得到了評(píng)委會(huì)多位專(zhuān)家青睞,榮獲展覽會(huì)金獎(jiǎng)。另一項(xiàng)目“高亮度LED圖形化襯底刻蝕系統(tǒng)”也收獲銅獎(jiǎng)。

收獲金獎(jiǎng)的“等離子體增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng)”

獲獎(jiǎng)證書(shū)

獎(jiǎng)牌

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