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科研動態(tài)

微電子所在黑硅(多晶)太陽能電池研究上再獲突破

稿件來源: 發(fā)布時間:2012-11-06
  近日,中科院微電子所微電子設備研究室(八室)夏洋研究員帶領科研團隊聯(lián)合嘉興微電子儀器與設備工程中心在多晶黑硅太陽能電池研究上再次獲得突破,電池轉(zhuǎn)換效率達到17.88%,在多晶硅太陽能電池研究領域中處于先進水平。

  夏洋研究團隊原創(chuàng)性提出利用等離子體浸沒離子注入技術,在商用多晶硅(156×156mm2)襯底上制備黑硅材料,并將其成功應用于太陽能電池領域。該方法通過離子注入反應,形成致密的納米結構,起到良好的陷光作用,使多晶硅的光吸收達到99%,從而大大提升太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。其相關研究文章發(fā)表在Solar Energy Materials and Solar cells、Solar Energy、Energy Procedia、Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena、物理學報等多家期刊上,并已申請專利30余項。

  目前,該團隊和浙江省大型光伏生產(chǎn)企業(yè)已開展密切合作,該技術的應用有望為我國光伏企業(yè)發(fā)展做出貢獻。

  多晶黑硅太陽能電池I-V測試曲線(微電子所,2012)

多晶黑硅太陽能電池模組(微電子所,2012)  
 
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