近日，973項目“超高頻、大功率化合物半導(dǎo)體器件與集成技術(shù)基礎(chǔ)研究”2012年度總結(jié)大會在中科院微電子所召開。專家組成員中科院王越院士、吳德馨院士、鄭有炓院士，哈爾濱工業(yè)大學(xué)副校長強文義教授，中科院微電子所所長葉甜春研究員及項目組科研人員參加了會議。該項目首席科學(xué)家劉新宇研究員和各子課題負責(zé)人、科研骨干匯報了項目的工作進展情況。

　　劉新宇研究員首先向?qū)＜医M和與會人員介紹了該項目的研究背景、研究目標(biāo)和年度項目進展情況。他指出，項目各課題不僅圓滿完成了本年任務(wù)，并在四個重點領(lǐng)域取得了較大的突破：研制成功InGaAs NMOS與InGaSb PMOS原型器件，性能優(yōu)于相同柵長Si CMOS器件，其中100nm InGaAs NMOS射頻性能突破200 GHz，達到國際先進水平；采用路場結(jié)合、全局仿真局部優(yōu)化的方法，在國內(nèi)實現(xiàn)了多款3毫米波段電路；建立了自主的GaN毫米波器件成套工藝流程，開發(fā)了創(chuàng)新的U型柵結(jié)構(gòu)，申請專利11項；開發(fā)了一套超高頻數(shù)模混合電路設(shè)計方法，有效提高超高頻電路的性能，并以此為基礎(chǔ)開發(fā)出具有世界先進水平的GaAs基頻率比較器和10GHz 8bit DDS，其中12.5GHz 頻率比較器已經(jīng)實現(xiàn)用戶單位批量訂貨。

　　專家組對項目的各項進展表示滿意。王越院士認為本項目已經(jīng)獲得了階段性的成功，在后續(xù)工作上應(yīng)該加強機理研究，在動態(tài)科研中探究機理問題，同時凝練方向，與應(yīng)用需求結(jié)合，保持項目的長期健康發(fā)展。吳德馨院士表示，本項目的進展非常大，無論在機理還是應(yīng)用上，均較第一期項目（本項目為973項目滾動第二期）有了長足進步，但距離國產(chǎn)化尚有一定距離，她希望各個課題組立足現(xiàn)有基礎(chǔ)，注重同用戶的應(yīng)用需求綁定，徹底解決器件的可靠性、穩(wěn)定性問題。鄭有炓院士首先對項目的成果給予充分的肯定，他認為本項目學(xué)科跨度較大，各課題間應(yīng)該加強互動，希望相關(guān)課題可以再串聯(lián)出有顯示度的成果來，滿足國家需求，突出創(chuàng)新性。強文義教授認為各課題目前已經(jīng)超前完成了任務(wù)要求，他提議各課題應(yīng)更加注重協(xié)同創(chuàng)新，并將課題六更充分的集成到整個項目中去。

　　為了加強各課題的互動，充分的調(diào)動起青年科研人員的積極性，鼓勵創(chuàng)新，項目組在此次會中還舉辦了“973項目青年科學(xué)家論壇”。課題負責(zé)人南京大學(xué)長江學(xué)者陸海教授、清華大學(xué)微電子學(xué)研究所副所長王燕教授等項目骨干展示了各課題最新的突出成果，為科研人員起到了良好的示范作用。

與會專家組成員和項目骨干合影