日前，中科院微電子所聯(lián)合清華大學(xué)、北京大學(xué)在1G位獨(dú)立式NOR型閃存芯片研究上取得突破。

　　移動(dòng)通訊等信息技術(shù)的迅猛發(fā)展加劇了對海量信息高速存取的需求。然而，大容量高速閃存芯片設(shè)計(jì)技術(shù)一直是我國存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)面臨的主要技術(shù)瓶頸，我國存儲(chǔ)企業(yè)依賴國外技術(shù)授權(quán)進(jìn)行小容量嵌入式閃存產(chǎn)品設(shè)計(jì)的格局未發(fā)生改變。為此，在國家科技重大專項(xiàng)02專項(xiàng)的支持下，中科院微電子所納米加工與新器件集成技術(shù)研究室（三室）攜手清華大學(xué)、北京大學(xué)相關(guān)研究部門在國內(nèi)率先開展了1G位獨(dú)立式NOR型閃存芯片設(shè)計(jì)關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)工作。

　　科研人員基于中芯國際在研的最新65納米NOR型閃存工藝，經(jīng)過艱苦攻關(guān)，突破了閃存芯片進(jìn)入大容量后在字線/位線譯碼、高壓、靈敏放大等關(guān)鍵技術(shù)模塊方面的技術(shù)障礙，最終完成了1Gb NOR型閃存芯片的自主設(shè)計(jì)、流片、封裝和測試工作，研發(fā)的1G閃存芯片順利通過了機(jī)臺(tái)級關(guān)鍵電路模塊測試并成功實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)級存儲(chǔ)功能演示。

　　該項(xiàng)研究成果填補(bǔ)了我國在大容量NOR型閃存芯片研究方面的技術(shù)空白，也為后65納米大容量NOR型閃存芯片的發(fā)展奠定了重要基礎(chǔ)。