日前，中科院微電子所在阻變存儲器與大生產(chǎn)CMOS工藝集成研究上取得進展。
　　 阻變存儲器（RRAM）是近些年興起的新型不揮發(fā)存儲技術(shù)，具有單元尺寸小、速度快、功耗低、工藝及器件結(jié)構(gòu)簡單和可嵌入功能強等優(yōu)點，是國際上公認的32nm節(jié)點以下主流存儲器技術(shù)的有力競爭者之一。中科院微電子所納米加工與新器件集成技術(shù)研究室（三室）劉明研究員帶領(lǐng)的RRAM團隊已在該領(lǐng)域開展了多年的研究，以與CMOS工藝兼容的二元金屬氧化物材料為基礎(chǔ)，在材料優(yōu)化、機理研究、可微縮性研究、可靠性研究、小陣列原型芯片設(shè)計、測試方法學(xué)研究等方面取得了處于國內(nèi)領(lǐng)先地位、具有一定國際影響力的系列成果。
　　 2012年，在國家科技重大專項子課題“32nm RRAM關(guān)鍵工藝和技術(shù)”的支持下，RRAM研發(fā)團隊在SMIC生產(chǎn)線上完成RRAM外圍電路的流片工作，在實驗室環(huán)境中成功開發(fā)了1kb RRAM陣列與外圍電路芯片的集成工藝。這種集成方案一方面采用了大工藝生產(chǎn)平臺，為企業(yè)的生產(chǎn)研發(fā)提供前期技術(shù)儲備；另一方面兼顧了實驗室靈活多樣的特點，可以不受CMOS工藝上材料種類的限制，開展新材料、新結(jié)構(gòu)器件的研究，為產(chǎn)學(xué)研合作模式的進一步展開奠定了良好的基礎(chǔ)。
　　 該科研團隊的研究成果也受到國際同行的廣泛關(guān)注，分別和美國的VSEA公司和Adesto公司等簽署了合作開發(fā)的協(xié)議。

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圖1(a) RRAM存儲陣列測試系統(tǒng)； (b) 機臺級測試針卡實物圖；(c) PCB板控制電路部分。
圖2 (a) 探針卡下RRAM 1kb芯片實物圖； (b) 陣列中寫入的‘IME’字樣位圖。