日前，由中科院微電子所牽頭，中科院半導體所、中科院物理所、中國電科13所、西安電子科技大學、北京大學聯(lián)合承擔，集中了國內GaN研究領域的優(yōu)勢力量參與的重大項目“氮化鎵基毫米波器件和材料基礎與關鍵問題研究”通過了國家自然科學基金委員會信息科學部組織專家組的結題驗收。

　　驗收會上，項目首席科學家葉甜春研究員做了項目總體匯報，劉新宇研究員、蔡樹軍研究員、王曉亮研究員分別做了三個課題匯報。報告指出，項目圍繞GaN基毫米波功率器件研制中涉及的核心科學和關鍵技術問題，在GaN基毫米波器件制備和材料生長中的關鍵科學問題、GaN基功率器件可靠性關鍵科學問題、GaN基毫米波功率器件與材料的新結構三個方面進行了深入和系統(tǒng)研究。微電子所承擔毫米波課題方面的研究任務，與合作單位緊密配合，突破了毫米波GaN功率器件關鍵工藝技術，建立了完整的GaN毫米波器件和電路工藝流程，實現(xiàn)了fT達到135GHz、fmax達到215GHz器件，Ka波段輸出功率密度6.65W/mm，達到了項目的預期目標。

　　基金委專家組成員一致認為，該項目全面完成了研究計劃內容，項目研究組織有力，實施措施得當，在人才培養(yǎng)、學術論文、專利申請方面成果豐碩，總體評價為優(yōu)。

　　該項目經過四年的不懈努力，取得了一大批創(chuàng)新性的工作，在GaN 毫米波材料、GaN毫米波器件和電路、新型GaN功率器件、可靠性機理等方面取得了重要進展，在GaN毫米波材料、器件物理、器件與電路、可靠性等方面凝練和集成一批重大成果，全面提升我國GaN毫米波器件和電路的國際影響力，有力地支撐了我國重大科技項目的實施。

驗收會現(xiàn)場