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科研動態(tài)

有機器件低溫柔性薄膜封裝研究獲顯著進展

稿件來源: 發(fā)布時間:2013-08-01

  近日,中國科學院微電子研究所微電子設備技術研究室(八室)劉鍵、劉杰、冷興龍、屈芙蓉等科研人員組成的有機電子柔性封裝課題組聯(lián)合中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所在有機電子器件低溫柔性薄膜封裝ICP-PECVD系統(tǒng)研究上取得顯著進展。

  有機電子器件具有輕、柔、薄等特色,有機電子產(chǎn)品市場前景廣闊,是當今國際研究熱點之一。有機電子器件金屬陰極及部分功能材料對水氧特別敏感,使得有機電子器件封裝特別是柔性封裝成為技術難點。具有有機/(過渡層)/無機交替結構的柔性薄膜封裝是有機電子器件封裝的最佳選擇之一。柔性薄膜封裝要求封裝溫度低于120oC、有機/無機薄膜同源同室生長、封裝層水氧阻擋性強。

  針對上述要求,該研究團隊設計并研制了一套有機電子低溫柔性薄膜封裝ICP-PECVD系統(tǒng)。通過調節(jié)生長氣氛在相同的前驅體條件下分別實現(xiàn)有機、過渡、無機薄膜的同腔沉積。沉積時樣品臺溫度控制在80oC左右。沉積薄膜厚度均一,6寸硅片厚度均勻性達0.52%;沉積薄膜表面平整,薄膜表面粗糙度Ra可低至0.33nm;單個周期有機/無機交替結構薄膜封裝層水汽滲透率達3.66×10-4g/m2/day(已超出北京印刷學院水氧滲透率測試儀10-4g/m2/day測試極限)。

圖1 ICP-PECVD系統(tǒng)

(a)            (b)             (c)

圖2有機、無機薄膜沉積前后6寸硅片照片

(a)沉積前,(b)無機,(c)有機

(a)           (b)

圖3 沉積前后PET照片

(a)沉積前,(b)沉積后

圖4 水汽滲透率測試結果

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