日前，“973計劃”項目“納米結(jié)構(gòu)電荷俘獲材料及高密度多值存儲基礎(chǔ)研究”2013年度總結(jié)大會在中科院微電子所召開。 

　　專家組成員科技部重大科學(xué)研究計劃處王靜副處長，中科院前沿科學(xué)與教育局楊永峰處長、孔明輝處長，外國專家局馬俊如教授，中科院吳德馨院士、王占國院士、夏建白院士、李樹深院士、高鴻鈞院士，清華大學(xué)范守善院士，中科院上海高等研究院院長封松林研究員，中科院微電子所所長葉甜春研究員，中科院國家納米中心王琛研究員，北京大學(xué)薛增泉教授、朱星教授、張興教授，中山大學(xué)鄧少芝教授，中科院微電子所科技處處長王文武研究員及項目組科研人員參加會議。項目首席科學(xué)家劉明研究員及各課題負責(zé)人、科研骨干分別匯報了項目的工作進展情況。 

　　　　劉明研究員首先向?qū)＜医M和與會人員介紹了該項目的研究背景、研究目標(biāo)和年度項目進展情況。她指出，項目各課題不僅圓滿完成了本年任務(wù)，并在四個重點領(lǐng)域取得了較大的突破：對新型氧化物存儲材料及含有多層電荷俘獲材料的電荷存儲器件開展了系統(tǒng)性的研究；利用原位電子全息技術(shù)研究了多晶HfO₂俘獲層在不同的操作電壓下俘獲電荷的聚集和擴散，首次直接觀察到電荷俘獲存儲器內(nèi)部的電荷轉(zhuǎn)移和分布過程，該成果發(fā)表在Nature Communications上；通過對電荷俘獲存儲器在應(yīng)力條件下器件界面及體缺陷生長的研究，完善了自主開發(fā)的CTM器件模擬平臺，實現(xiàn)了電荷俘獲存儲器器件性能退化的預(yù)測；面向嵌入式應(yīng)用，完成了2T結(jié)構(gòu)CTM存儲器件的集成技術(shù)研發(fā)和閃存芯片的研制。該項目在2013年度共發(fā)表論文42篇，其中SCI收錄29篇，國際學(xué)術(shù)期刊28篇，國內(nèi)學(xué)術(shù)期刊5篇，國際學(xué)術(shù)會議9篇；授權(quán)發(fā)明專利14項，新申請發(fā)明專利11項。 

　　專家組對項目的各項進展表示滿意。王占國院士認為本項目已經(jīng)獲得了階段性的成功，在后續(xù)工作上應(yīng)該加強機理研究，深入研究材料的俘獲機理，在此基礎(chǔ)上提高材料的穩(wěn)定性。吳德馨院士對項目的進展給予充分的肯定，她認為各課題間應(yīng)該加強互動，四個課題之間需要更好的組織，系統(tǒng)總結(jié)，理出思路，突出創(chuàng)新性。范首善院士認為本項目需要總結(jié)內(nèi)容，突出亮點，在明年的結(jié)題匯報時理好思路，注意與同期立項課題的橫向比較。高鴻鈞院士認為課題總體完成很好，希望更深入的在原子尺度上進行理論分析，注重各個課題間的協(xié)同，爭取獲得滾動支持。薛增泉教授認為課題的進展很大，亮點很明顯，既有前瞻性的基礎(chǔ)研究，也在國內(nèi)實現(xiàn)器件和芯片的制造，拿出了與產(chǎn)業(yè)界接軌的技術(shù)，符合納米專項立項的初衷。朱星教授指出要注重和同期立項各個存儲器課題的橫向比較，認真準(zhǔn)備結(jié)題工作，爭取獲得滾動支持。 　　　　  

　　專家組成員及項目骨干合影