11月12—14日，由工業(yè)和信息化部、科技部、國家知識產(chǎn)權(quán)局、中國科學(xué)院、中國國際貿(mào)易促進委員會和湖北省人民政府主辦的第十二屆武漢光博會暨第十一屆湖北省產(chǎn)學(xué)研會在武漢舉辦。微電子所中科新芯三維存儲器研發(fā)中心與武漢新芯集成電路制造有限公司合作研發(fā)的先進3D NAND型閃存存儲器芯片亮相大會。 

　　本次展會采用實物展示、展板展示和互動演示交流等形式，集中展示了中科院相關(guān)研究所不同領(lǐng)域的100余項最新科技成果，其中中科新芯三維存儲器研發(fā)中心與武漢新芯集成電路制造有限公司合作研發(fā)的先進3D NAND型閃存存儲器芯片實物展示和宣傳展板吸引了大批參會者駐足參觀。該技術(shù)成果是微電子所充分發(fā)揮產(chǎn)—研聯(lián)合研發(fā)新模式的優(yōu)勢與潛力，經(jīng)過近8個月的技術(shù)攻關(guān)，與武漢新芯集成電路制造有限公司聯(lián)合研發(fā)的首款具備9層存儲結(jié)構(gòu)的三維存儲器件。微電子所科研人員承擔了工藝流程設(shè)計、關(guān)鍵工藝模塊開發(fā)、存儲器測試芯片設(shè)計等重要任務(wù)。測試結(jié)果顯示，該款芯片實現(xiàn)了預(yù)期的數(shù)據(jù)存取功能。這一重要突破標志著我國首次自主研發(fā)的產(chǎn)品級三維存儲器工藝流程順利貫通。 

　　展會期間，中科新芯三維存儲器研發(fā)中心向與會領(lǐng)導(dǎo)、企業(yè)代表和觀眾詳細介紹了微電子所產(chǎn)—研聯(lián)合研發(fā)新模式，獲得了高度認可，形成了良好的示范效應(yīng)。 

開幕式現(xiàn)場 

3D NAND存儲器芯片實物