微電子所高頻高壓器件與集成研發(fā)中心劉洪剛研究員、王盛凱副研究員帶領(lǐng)CMOS研究團(tuán)隊(duì)在國家科技重大專項(xiàng)02專項(xiàng)、國家“973”課題和國家自然科學(xué)基金等項(xiàng)目的支持下，對(duì)high-k/III-V、high-k/Ge界面的缺陷行為及控制方法開展了系統(tǒng)研究，經(jīng)過近5年的持續(xù)攻關(guān)，取得了突破性的研究成果。 

　　以InGaAs為代表的III-V族半導(dǎo)體材料和Ge材料具有優(yōu)異的電子和空穴遷移率，其良好的界面有利于顯著提升MOS器件的遷移率，是超高速、低功耗CMOS器件的理想溝道材料。然而，由于high-k/InGaAs、high-k/Ge的界面穩(wěn)定性較差，在界面處存在大量缺陷形成的載流子散射中心，阻礙了遷移率的提高，嚴(yán)重影響了器件的最終性能。 

　　針對(duì)這一核心問題，CMOS研究團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新性地在high-k/InGaAs界面插入極薄外延InP層，將high-k/InGaAs的界面缺陷有效推移至high-k/InP之間。通過采用多硫化氨[(NH₄)₂S_x]對(duì)InP進(jìn)行表面鈍化處理并結(jié)合低溫原子層高k介質(zhì)沉積技術(shù)，有效抑制了在介質(zhì)沉積以及金屬化后退火過程中的表面氧化和磷原子脫附效應(yīng)，成功將high-k/InP界面的最低缺陷密度降低至2×10¹¹ cm^-2eV^-1（(圖1（a）），有效克服了high-k/III-VMOS電容積累區(qū)頻散這一普遍性難題，達(dá)到世界領(lǐng)先水平（圖1（b））。 

　　圖1.（a）采用低溫ALD工藝結(jié)合表面硫鈍化技術(shù)的high-k/InPMOS電容的電容—電壓曲線及界面態(tài)密度分布，（b）high-k/InP的界面的D_it低于2×10¹¹cm^-2eV^-1，達(dá)到了世界領(lǐng)先水平 

　　與III-V族溝道不同，在high-k/Ge界面適當(dāng)引入GeOx層有助于降低界面缺陷密度。由于GeO在420度以上高度環(huán)境下會(huì)發(fā)生明顯的脫附現(xiàn)象，進(jìn)而導(dǎo)致界面性能嚴(yán)重退化，因此，高溫常壓（400-550度）熱氧化方法不適合GeOx界面層的形成。CMOS研究團(tuán)隊(duì)提出在原子層高k介質(zhì)沉積過程中，循環(huán)利用臭氧進(jìn)行低溫（300度）原位臭氧氧化，抑制了GeO的高溫脫附，同時(shí)有效借助了高k介質(zhì)沉積過程中對(duì)臭氧分子的阻擋作用，獲得了高質(zhì)量極薄GeOx界面層。通過該方法，成功將high-k/Ge界面的最低缺陷密度降低至2×10¹¹ cm^-2eV^-1以下，達(dá)到了世界先進(jìn)水平（圖2），同時(shí)，光學(xué)和電學(xué)表征證實(shí)，在低溫臭氧處理過程中，介質(zhì)漏電以及介質(zhì)內(nèi)部的缺陷數(shù)量均得到有效降低，為Ge-MOS器件應(yīng)用提供了解決方案。 

　　圖2.（a）采用原位循環(huán)臭氧氧化技術(shù)的high-k/GeMOS電容的電容—電壓曲線及界面態(tài)密度分布，（b）high-k/Ge界面的最低Dit低于2×10¹¹cm^-2eV^-1，達(dá)到了世界先進(jìn)水平 

　　上述研究成果得到了化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域權(quán)威雜志“Compound Semiconductor”的持續(xù)關(guān)注，王盛凱副研究員受邀為該雜志撰寫了題為“Turbo Charging the Channel”的專題文章（Feature Article），該成果發(fā)表于“Compound Semiconductor”2016年1月/2月刊（圖3）。 

　　圖3.Shengkai Wang,“Turbo Charging the Channel”，“Compound Semiconductor”,January/February2016,pp.36-44. 

　　http://www.publishing.ninja/V2/page/1839/116/6/1