中國科學院微電子研究所韋亞一研究員的專著《超大規(guī)模集成電路先進光刻理論與應用》于近期在科學出版社出版，并通過了業(yè)內專家委員會的評審，獲得了中國科學院科學出版基金的資助。 

　　光刻技術是所有微納器件制造的核心技術，推動著器件制造技術的快速進步。目前，國內在先進光刻技術領域的著作較少，尤其是融合主流光刻工藝和計算光刻等內容的科學專著鮮有問世。當前國內集成電路設計和制造蓬勃發(fā)展，集成電路技術研發(fā)進入重要戰(zhàn)略機遇期，對集成電路設計和制造等專門人才的需求越來越多。該專著的出版對從事集成電路制造、工藝整合、光刻研發(fā)、計算光刻軟件、集成電路教學和科研等從業(yè)人員具有較高的指導價值。 

　　該書覆蓋了現(xiàn)代光刻技術的重要方面，包括設備、材料、仿真（計算光刻）和工藝。本書的設備部分對業(yè)界使用的主流設備進行了剖析，介紹了其原理結構、使用方法和工藝參數(shù)設置；材料部分介紹了包括光刻膠、抗反射涂層、抗水涂層和使用旋涂工藝的硬掩膜等材料的分子結構、使用方法以及必須達到的性能參數(shù)；仿真與計算光刻部分系統(tǒng)介紹了基于經驗的光學鄰近效應修正、基于模型的光學鄰近效應修正、亞曝光分辨率的輔助圖形、光源—掩模協(xié)同優(yōu)化和反演光刻技術。如何控制套刻誤差是光刻技術領域公認的技術難點，本書設置了一章專門討論曝光對準系統(tǒng)和控制套刻誤差的方法。此外，書中還特別介紹了32nm及以下技術節(jié)點光刻工藝研究的新方法論、光刻工程師的職責以及如何協(xié)調各方資源保證研發(fā)進度等。 

專著封面