近日，微電子所中國(guó)科學(xué)院硅器件技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室在高可靠技術(shù)領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展。

　　近年來(lái)，重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室與微電子所先導(dǎo)中心、中科院新疆理化所等所內(nèi)外科研單位合作，在FinFET器件、DSOI器件和VDMOS器件抗輻照性能上進(jìn)行了深入研究。研究表明，在導(dǎo)通偏置下的輻照過(guò)程中，體硅FinFET展現(xiàn)出高抗總劑量輻射能力，輻照誘發(fā)閾值電壓增大、跨導(dǎo)增加并改善了其亞閾值特性，引起“反向”的輻照后室溫退火效應(yīng)。相同工藝下的新型DSOI器件結(jié)構(gòu)將SOI抗總劑量效應(yīng)能力提高了1到2個(gè)數(shù)量級(jí)，而對(duì)電離輻照效應(yīng)不敏感的復(fù)合電荷平衡終端結(jié)構(gòu)，提高了電荷平衡VDMOS器件的抗總劑量輻照能力，這兩種結(jié)構(gòu)為高劑量下器件總劑量輻照加固提供了解決方案。

　　基于上述研究成果，重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室向2017 RADECS投送的3篇學(xué)術(shù)研究論文均被錄用，并受邀參加了2017年10月在瑞士日內(nèi)瓦舉辦的2017 RADECS國(guó)際學(xué)術(shù)大會(huì)。其中，重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室助理研究員楊玲的論文“Anomalous Total Dose Response and Room-Temperature Annealing Behavior in Bulk nFinFETs”受邀作了大會(huì)報(bào)告。這是中國(guó)科學(xué)院的科研團(tuán)隊(duì)首次受邀在該國(guó)際會(huì)議上作大會(huì)報(bào)告，也是本次大會(huì)唯一受邀作大會(huì)報(bào)告的中國(guó)科研團(tuán)隊(duì)。重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室助理研究員黃楊、副研究員宋李梅的論文“An Effective Method to Compensate TID Induced Degradation on DSOI Structure”和“A Novel Combined Charge Balance Termination Structure Insensitive to Ionizing Radiation Effect”在會(huì)議期間進(jìn)行了海報(bào)展示并同與會(huì)代表進(jìn)行了深入交流。

　　RADECS會(huì)議是關(guān)于空間輻射及其對(duì)材料、器件和系統(tǒng)影響的頂級(jí)國(guó)際會(huì)議，現(xiàn)已成為器件抗輻射領(lǐng)域的年度學(xué)術(shù)盛會(huì)。2017年度RADECS會(huì)議，中國(guó)學(xué)術(shù)文章數(shù)量首次位列第3名，表示中國(guó)在該學(xué)術(shù)領(lǐng)域的科研成果受到國(guó)際同行的廣泛關(guān)注和認(rèn)可，中國(guó)在這領(lǐng)域的相關(guān)影響力在不斷地增強(qiáng)！