近日，2017國際電子器件大會（IEDM）在美國舊金山召開。會上，微電子所劉明院士的科研團隊展示了1Mb 28nm嵌入式阻變存儲器測試芯片以及8層堆疊的高密度三維阻變存儲器陣列的最新研究成果。 

　　以RRAM和MRAM為代表的新型存儲器將被認為是28nm及后續(xù)工藝節(jié)點中嵌入式存儲的主要解決方案。劉明團隊在RRAM方向具有長達10年的研究積累，于2015年開始聯(lián)合中芯國際、國網(wǎng)智芯等單位，以產(chǎn)學研合作方式共同推進RRAM的實用化。經(jīng)過兩年多的努力，在中芯國際28nm平臺上完成了工藝流程的開發(fā)與驗證，并在此基礎上設計實現(xiàn)了規(guī)模為1Mb的測試芯片。 

　　垂直結(jié)構(gòu)的高密度三維交叉陣列，結(jié)合了3D-Xpoint以及3D-NAND兩種架構(gòu)的優(yōu)勢，具有制備工藝簡單，成本低廉以及集成密度高等優(yōu)點。劉明團隊在前期四層堆疊結(jié)構(gòu)的基礎上（IEDM 2015 10.2、VLSI 2016 8.4）實現(xiàn)了8層結(jié)構(gòu)的設計，進一步驗證了RRAM三維結(jié)構(gòu)微縮至5nm以下的可能性。 

　　基于上述成果的2篇研究論文入選2017國際電子器件大會。第一作者呂杭炳研究員、羅慶博士分別作了題為“BEOL Based RRAM with One Extra-mask for Low Cost, Highly Reliable Embedded Application in 28 nm Node and Beyond”，以及“8-Layers 3D Vertical RRAM with Excellent Scalability towards Storage Class Memory Applications”的口頭匯報。 

　　IEEE國際電子器件大會（IEDM）始于1954年，現(xiàn)已成為全球報道半導體及電子領域最新的科技、研發(fā)設計、制造、物理學及建模技術(shù)的主要論壇，旨在為產(chǎn)學研界的研究學者提供關(guān)于電子器件最新研究進展和研究成果的國際交流平臺。