我所劉明研究員領導的下一代非揮發(fā)性半導體存儲器研究小組，最近在阻變存儲器（ReRAM）領域取得新的進展，題為“Improvement of resistive switching properties in ZrO2-based ReRAM with implanted metal ions”的研究論文被歐洲固態(tài)電子器件會議（ESSDER）錄用，ESSDER是國際電子電氣工程師協(xié)會（IEEE）旗下關(guān)于微納電子學領域的最重要的會議之一。同時劉明研究員還被邀請擔任該會議的學術(shù)委員會委員，這表明我所下一代非揮發(fā)存儲器的研究工作再一次得到國際同行的認可。

　　在ReRAM的研究中，三室存儲器小組把研究的注意力集中在材料組分簡單、制造工藝與CMOS兼容的二元金屬氧化物上，創(chuàng)新性地提出了采用摻雜的手段來改善二元金屬氧化物的電阻轉(zhuǎn)變特性，并取得的良好的實驗結(jié)果。研究表明通過調(diào)節(jié)二元氧化物中的雜質(zhì)類型和相關(guān)參量，可以人為的控制ReRAM的轉(zhuǎn)變特性，為ReRAM的實用化提供了一條技術(shù)手段。同時，該研究組深入開展了摻雜的二元氧化物材料的阻變機理的研究，也取得了較好的研究成果。目前，該研究組已在IEEE Electron Device letters，Applied Physics Letters，Journal of Applied Physics等高水平國際期刊上發(fā)表相關(guān)論文近十篇。

　　以上工作得到國家重點基礎研究發(fā)展計劃（973計劃），中國高技術(shù)研究發(fā)展計劃（863計劃），國家自然科學基金的支持。