近日，由微電子所作為合作單位之一承擔(dān)完成的“90納米—65納米極大規(guī)模集成電路大生產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)研究”獲2008年國家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎二等獎。微電子所徐秋霞研究員作為項(xiàng)目主要完成人之一，也榮獲該獎項(xiàng) 。

　　國家863項(xiàng)目“90納米—65納米極大規(guī)模集成電路大生產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)研究”，由北京大學(xué)、中芯國際集成電路制造有限公司、浙江大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、中國科學(xué)院微電子研究所、清華大學(xué)6家單位合作完成。成功開發(fā)了90nm大生產(chǎn)核心技術(shù)，包括微細(xì)加工、Co硅化物淺結(jié)、Cu互聯(lián)／低K、器件模型、光刻模型和版圖的可制造性、可靠性分析和評測等技術(shù)，并成功地用于12英寸大生產(chǎn)中，建立了開放式的90nmCMOS大生產(chǎn)關(guān)鍵工藝技術(shù)平臺，使我國成為掌握當(dāng)前國際最先進(jìn)集成電路大生產(chǎn)工藝制造技術(shù)的少數(shù)國家和地區(qū)之一，為我國集成電路設(shè)計(jì)、制造、專用設(shè)備和材料技術(shù)的研發(fā)，提供了一個產(chǎn)學(xué)研相結(jié)合的技術(shù)平臺，對我國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展具有重要意義。該項(xiàng)目曾獲2007年教育部科學(xué)技術(shù)一等獎。

　　微電子所徐秋霞研究員作為該課題主要完成人之一，圓滿完成了該課題中的子課題“70納米CMOS關(guān)鍵技術(shù)及器件研究”的任務(wù)，她和她的科研團(tuán)隊(duì)在65納米及以下技術(shù)代若干關(guān)鍵技術(shù)和新結(jié)構(gòu)器件研發(fā)方面（如非平面體硅CMOS FinFET 新器件結(jié)構(gòu)及其集成技術(shù)、凹槽平面雙柵MOS器件新結(jié)構(gòu)及其制備、疊層?xùn)沤橘|(zhì)/金屬柵工藝及其集成技術(shù)）取得多項(xiàng)創(chuàng)新成果，獲發(fā)明專利授權(quán)5項(xiàng)，在《IEEE TED》、《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》等學(xué)術(shù)刊物發(fā)表論文16篇，國際會議發(fā)表論文6篇。