我所微波器件與集成電路研究室（四室）InP HBT小組再傳捷報，其設(shè)計制作的InP DHBT振蕩頻率達到305GHz，打破了由其先前在國內(nèi)創(chuàng)造的253GHz的記錄，在該領(lǐng)域的研究上，不僅在國內(nèi)取得了絕對的領(lǐng)先優(yōu)勢，而且在頻率和功率綜合指標上已經(jīng)接近國際先進水平。

　　InP基器件由于其在超高頻領(lǐng)域具有優(yōu)異的材料性能而成為國內(nèi)外研究的熱點。但目前國內(nèi)研究尚不成熟，在器件工藝制作及高頻測試等方面的難題使得InP高頻器件的研究困難重重。在科技部973項目和中科院重要方向性項目的支持下，微電子所金智研究員率領(lǐng)InP HBT小組科研人員刻苦攻關(guān)，采用傳統(tǒng)的三臺面式的器件結(jié)構(gòu)和發(fā)射極基極自對準、BCB平坦化等工藝，在器件頻率及成品率、一致性方面取得較大突破。研制成功的共基極四指并聯(lián)InP/InGaAs/InP雙異質(zhì)結(jié)三極管（DHBT）器件的性能得到極大的優(yōu)化，不僅將擊穿電壓提高到7V，飽和電流提高到100mA，直流參數(shù)的最大輸出功率提高到80mW；而且在頻率上更上一層樓，最大振蕩頻率突破305GHz。這一結(jié)果發(fā)表在《Solid-State Electronic》上，是目前為止國內(nèi)唯一一篇在國外文獻上報道的、器件頻率超過300GHz的文章。InP DHBT多指并聯(lián)拓撲結(jié)構(gòu)的研制成功為PA和VCO在W波段的實現(xiàn)打下了堅實的基礎(chǔ)。在不久前結(jié)束的973項目“新一代半導(dǎo)體化合物電子器件與電路研究”課題驗收會上，這一結(jié)果也受到同行專家的一致好評。

　　器件俯視圖

　　器件最大振蕩頻率