在1月8日舉行的2007年度國家科學(xué)技術(shù)獎勵大會上，由微電子所作為第二單位完成的項目“中高頻聲表面波關(guān)鍵材料及技術(shù)研究”獲得國家技術(shù)發(fā)明二等獎。近日，該項目再次獲得中科院獎勵。

　　本次國家科學(xué)技術(shù)獎勵大會，由國家科學(xué)技術(shù)獎勵評審委員會嚴(yán)格評審，國家科學(xué)技術(shù)獎勵委員會審定和科技部審核，經(jīng)國務(wù)院批準(zhǔn)，國家技術(shù)發(fā)明獎授獎項目５１項，其中一等獎１項，二等獎５０項?！爸懈哳l聲表面波關(guān)鍵材料及技術(shù)研究”經(jīng)北京市推薦，經(jīng)嚴(yán)格評審，在參選項目中脫穎而出，最終獲二等獎。近日，中國科學(xué)院又下發(fā)了《關(guān)于獎勵2007年度獲國家科技獎項目的通知》，微電子所作為第二完成單位，獲得50萬元的獎勵。

　　“中高頻聲表面波關(guān)鍵材料及技術(shù)研究”項目由微細(xì)加工與納米技術(shù)研究室主任劉明研究員與清華大學(xué)材料系潘峰教授等合作完成，項目取得的主要研究成果有：采用Ti、Zr、Ni金屬納米級過渡層，并通過適量添加Mo等微量元素，研制出多種具有高抗電遷移和功率耐受性的Al基叉指換能器材料；成功解決了Al/ZnO/金剛石/Si多層材料間的匹配問題，獲得了高品質(zhì)的高頻聲表面波器件材料結(jié)構(gòu)，制作的器件中心頻率達(dá)3.3GHz；將耦合膜（COM）和鏡像耦合理論成功應(yīng)用于多層復(fù)合膜聲表面波器件的設(shè)計，發(fā)展出具有自主知識產(chǎn)權(quán)的設(shè)計平臺和相關(guān)軟件；發(fā)展了一種新的分層分劑量進(jìn)行臨近效應(yīng)修正電子束直寫技術(shù)，解決了200納米線寬密集叉指換能器和毫米級匯流線條同時曝光的難題，制備出線寬達(dá)0.2微米的聲表面波器件；突破了高頻聲表面波材料與器件產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)，形成了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的年產(chǎn)2000萬只中高頻器件的示范生產(chǎn)線。

　　“中高頻聲表面波關(guān)鍵材料及技術(shù)研究”形成了自主知識產(chǎn)權(quán)、推動了聲表面波技術(shù)的發(fā)展，產(chǎn)生了顯著的技術(shù)、經(jīng)濟(jì)效益。同時該項目的成果直接推動了我國新一代無線通信系統(tǒng)的發(fā)展，也直接促進(jìn)了我國新一代應(yīng)用電子系統(tǒng)安全的發(fā)展，產(chǎn)生了顯著的社會效益。