6月8日至9日，國(guó)家自然科學(xué)基金國(guó)家重大科研儀器研制項(xiàng)目“二維電子材料及納米量子器件的研究和原位分析儀器”驗(yàn)收會(huì)在微電子所召開(kāi)?；鹞敝魅侮懡ㄈA，基金委信息科學(xué)部主任郝躍、常務(wù)副主任張兆田、副主任何杰，中科院副院長(zhǎng)李樹(shù)深，條財(cái)局副局長(zhǎng)曹凝，微電子所黨委書(shū)記、副所長(zhǎng)（主持工作）戴博偉，微電子所副所長(zhǎng)王文武，黨委副書(shū)記、紀(jì)委書(shū)記趙志剛，中國(guó)科學(xué)院江風(fēng)益院士、吳德馨院士、劉明院士、張躍院士、彭練矛院士及項(xiàng)目組成員共80余人參加會(huì)議。 

　　該項(xiàng)目由微電子所牽頭承擔(dān)。項(xiàng)目組提出并發(fā)明了電場(chǎng)調(diào)控原子層沉積技術(shù)（E-PEALD），率先實(shí)現(xiàn)了RHEED原位實(shí)時(shí)原子層沉積材料的動(dòng)態(tài)測(cè)量與分析，研發(fā)出晶圓級(jí)MoS2二維材料，制備了MoS2晶體管及邏輯電路，完成了低溫石墨烯制備及納米修飾，實(shí)現(xiàn)了國(guó)際領(lǐng)先水平的碳基彈道輸運(yùn)晶體管。為北方華創(chuàng)公司提供ALD原理及關(guān)鍵腔室設(shè)計(jì)和制備，為解決集成電路高K介質(zhì)制備等難題提供了關(guān)鍵技術(shù)支撐；相關(guān)技術(shù)形成了ALD品牌產(chǎn)品，銷(xiāo)售200余臺(tái)，支持了中微子探測(cè)等多項(xiàng)關(guān)鍵重大科學(xué)研究；促進(jìn)了北京碳基集成電路研究院建設(shè)。 

　　驗(yàn)收專(zhuān)家組由22位技術(shù)、財(cái)務(wù)、檔案專(zhuān)家組成，江風(fēng)益院士任組長(zhǎng)。驗(yàn)收會(huì)上，專(zhuān)家組聽(tīng)取了項(xiàng)目負(fù)責(zé)人夏洋研究員的結(jié)題匯報(bào)、監(jiān)理組監(jiān)理情況匯報(bào)、儀器測(cè)試報(bào)告、財(cái)務(wù)驗(yàn)收意見(jiàn)、檔案驗(yàn)收意見(jiàn)，就相關(guān)問(wèn)題進(jìn)行了質(zhì)詢(xún)和討論，現(xiàn)場(chǎng)考察了研制儀器設(shè)備運(yùn)行情況。 

　　驗(yàn)收專(zhuān)家組一致認(rèn)為，該項(xiàng)目完成了資助項(xiàng)目計(jì)劃書(shū)規(guī)定的全部任務(wù)，實(shí)現(xiàn)了儀器的全部技術(shù)指標(biāo)，達(dá)到了預(yù)期目標(biāo)；研制工作取得了豐碩的成果，攻克了電場(chǎng)調(diào)控原子層沉積二維材料生長(zhǎng)、器件制備和原位分析等關(guān)鍵技術(shù)，碳基材料、MoS2等二維材料及器件指標(biāo)達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平；儀器整機(jī)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，具有獨(dú)創(chuàng)性。 

基金委副主任陸建華講話

項(xiàng)目負(fù)責(zé)人夏洋做總結(jié)報(bào)告

專(zhuān)家組現(xiàn)場(chǎng)考察

與會(huì)人員合影