近日，微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在極紫外光刻基板缺陷補償方面取得新進(jìn)展。 

　　與采用波長193nm的深紫外（DUV）光刻使用的掩模不同，極紫外（EUV）光刻的掩模采用反射式設(shè)計，其結(jié)構(gòu)由大約由40層Mo和Si組成的多層膜構(gòu)成。在浸沒式光刻技術(shù)的技術(shù)節(jié)點上，基板制造和掩模制造已足夠成熟，掩模缺陷的密度和尺寸都在可接受的水平。但是在EUV光刻系統(tǒng)中，由于反射率及掩模陰影效應(yīng)的限制，掩?；迦毕菔怯绊懝饪坛上褓|(zhì)量、進(jìn)而導(dǎo)致良率損失的重要因素之一。 

　　基于以上問題，微電子所韋亞一研究員課題組與北京理工大學(xué)馬旭教授課題組合作，提出了一種基于遺傳算法的改進(jìn)型掩模吸收層圖形的優(yōu)化算法。該算法采用基于光刻圖像歸一化對數(shù)斜率和圖形邊緣誤差為基礎(chǔ)的評價函數(shù)，采用自適應(yīng)編碼和逐次逼近的修正策略，獲得了更高的修正效率和補償精度。算法的有效應(yīng)性通過對比不同掩?；迦毕莸木匦谓佑|孔修正前后的光刻空間像進(jìn)行了測試和評估，結(jié)果表明，該方法能有效地抑制掩?；迦毕莸挠绊?，提高光刻成像結(jié)果的保真度，并且具有較高的收斂效率和掩模可制造性。 

　　基于本研究成果的論文Compensation of EUV lithography mask blank defect based on an advanced genetic algorithm近期發(fā)表在《光學(xué)快報》期刊上[Optics Express, Vol. 29, Issue 18, pp. 28872-28885 (2021)，DOI: 10.1364/OE.434787]，微電子所博士生吳睿軒為該文第一作者。微電子所韋亞一研究員為該文通訊作者。此項研究得到國家自然科學(xué)基金、國家重點研究開發(fā)計劃、北京市自然科學(xué)基金、中科院的項目資助。 

圖1 (a)優(yōu)化算法流程 (b)自適應(yīng)分段策略樣例 (c) 自適應(yīng)分段的合并與分裂 

圖2 (a)對不同大小的基板缺陷的補償仿真結(jié)果 (b) 對不同位置的基板缺陷的補償仿真結(jié)果 (c) 對復(fù)雜圖形的基板缺陷的補償仿真結(jié)果 (d) 對不同位置的基板缺陷的補償、使用不同優(yōu)化算法，目標(biāo)函數(shù)收斂速度的比較