王守武（1919.3.15-2014.7.30），半導(dǎo)體器件物理學(xué)家，江蘇蘇州人。
1919年3月15日生于江蘇蘇州，1936年至1941年就讀于同濟大學(xué)機電系，獲學(xué)士學(xué)位；1945年至1949年就讀于美國普渡大學(xué)獲碩士、博士學(xué)位；1950年回國參加新中國建設(shè)，1960年加入中國共產(chǎn)黨，1979年榮獲“全國勞動模范”稱號，1980年當(dāng)選為中國科學(xué)院院士（學(xué)部委員）。任第三、四屆全國人大代表，第五、六、七屆全國政協(xié)委員。1980年至1985年任中科院109廠（現(xiàn)微電子所）廠長，1986年起任中科院微電子中心（現(xiàn)微電子所）名譽主任，中科院微電子研究所名譽所長。2014年7月30日逝世，享年95歲，骨灰安放于八寶山革命公墓。
主要科研成就
著名半導(dǎo)體器件物理學(xué)家、中國半導(dǎo)體科學(xué)奠基人之一
1952年7月，與同事一起安裝調(diào)試成功中國第一臺電子顯微鏡。
1956年 參與“全國十二年科學(xué)技術(shù)發(fā)展遠景規(guī)劃”的制定工作，參與制定了半導(dǎo)體發(fā)展十二年規(guī)劃；11月，研制成功我國第一只晶體三極管。
1957年 設(shè)計并指導(dǎo)制作我國第一臺拉制半導(dǎo)體鍺材料的單晶爐；11月，拉制成功我國第一根鍺單晶；領(lǐng)導(dǎo)半導(dǎo)體研究室研制成功我國第一批鍺合金結(jié)晶體管，并掌握了鍺單晶中的摻雜技術(shù)。
1958年7月，拉制成功我國第一根硅單晶；參與成立了我國第一個晶體管工廠—109廠。
1959年 領(lǐng)導(dǎo)109廠為109乙型計算機提供了多品種、批量的鍺高頻合金擴散晶體管。
1963年 9月，“用觸針下分布電阻的光電導(dǎo)衰退來測量半導(dǎo)體中少數(shù)載流子的壽命”成果獲中國科學(xué)院第一批獎勵發(fā)明項目三等獎；12月，成功研制我國第一只半導(dǎo)體受激發(fā)光器。
1965年 4月，研制出的硅平面器件通過中國科學(xué)院院級鑒定。
1966年8月，領(lǐng)導(dǎo)半導(dǎo)體所和109廠為我國首臺組件計算機—156工程樣機研制和生產(chǎn)了組件。
1975年 建成一條230平方米的超凈試驗線。
1978年 領(lǐng)導(dǎo)研制的室溫同質(zhì)結(jié)脈沖GaAs激光器、大氣光通信與半導(dǎo)體激光器榮獲全國科技大會獎。
1979年9月28日，研制成功4千位MOS動態(tài)隨機存儲器，為國內(nèi)最高水平；12月，“N溝MOS4千位動態(tài)隨機存儲器提高管芯成品率的研究”獲中國科學(xué)院科研成果獎一等獎。
1980年 研制出16千位RAM樣品，其主要參數(shù)達到了國際同類產(chǎn)品水平，獲中國科學(xué)院科研成果獎一等獎。
1986年 “集成電路大生產(chǎn)試驗”獲得國家計委科技攻關(guān)成績顯著表彰及中國科學(xué)院“六五”科技攻關(guān)重要貢獻表彰。
1987年 “世界新技術(shù)革命和我國的對策”獲國家科學(xué)技術(shù)進步獎二等獎。
1989年 與他人共同完成的“3微米LSI（大規(guī)模集成電路）中試線的建設(shè)”獲1989年中國科學(xué)院科技進步獎二等獎。
1990年 集成電路中試生產(chǎn)線獲中國科學(xué)院科技進步獎二等獎。
2000年 獲何梁何利科學(xué)與技術(shù)進步獎。
所況介紹