| 論文編號: | |
| 第一作者所在部門: | |
| 論文題目: | 常壓射頻冷等離子體刻蝕硅的研究 |
| 論文題目英文: | |
| 作者: | 趙玲利，段小晉，尹明會，徐向宇，王守國 |
| 論文出處: | |
| 刊物名稱: | 《半導(dǎo)體學(xué)報》 |
| 年: | 2007 |
| 卷: | 28 |
| 期: | 10 |
| 頁: | 1615-1619 |
| 聯(lián)系作者: | 趙玲利 |
| 收錄類別: | |
| 影響因子: | |
| 摘要: | 介紹一種新型的常壓射頻低溫冷等離子放電設(shè)備，并用該設(shè)備進(jìn)行硅刻蝕的工藝實驗。研究了刻蝕硅的速率隨等離子體放電功率、氣體流量以及襯底溫度的變化規(guī)律，并得到了最大刻蝕速率為390nm/min。利用臺階儀、顯微鏡和掃描電鏡(SEM)對刻蝕效果進(jìn)行檢測與分析，證實了該設(shè)備對硅的淺刻蝕具有較好的均勻性和較高的各向異性。結(jié)果表明，該設(shè)備在常壓下刻蝕硅，操作簡單且不易對材料表面產(chǎn)生損傷。 |
| 英文摘要: | |
| 外單位作者單位: | |
| 備注: | |
科研產(chǎn)出