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| 第一作者所在部門: | |
| 論文題目: | 改善增益平坦度的新型InGaP/GaAs HBT功率放大器單片設(shè)計 |
| 論文題目英文: | |
| 作者: | 朱旻，尹軍艦，張海英 |
| 論文出處: | |
| 刊物名稱: | 《半導(dǎo)體學報》 |
| 年: | 2008 |
| 卷: | 29 |
| 期: | 8 |
| 頁: | 1441-1444 |
| 聯(lián)系作者: | 朱旻 |
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| 影響因子: | |
| 摘要: | 介紹了一款應(yīng)用于3GHz通信的基于改進增益平坦度的功率放大器設(shè)計，其由商用InGaP/GaAs異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管（HBT）工藝制作. 為了以簡單方式改善增益平坦度，除了耦合旁路電容以及射頻扼流圈外，在實際電路中沒有加入額外部件. 其測量線性增益為23dB，大信號增益平坦度為±0.25dB，非常貼近仿真和目標值. 此兩級功放400MHz帶寬下的輸出線性功率為31dBm，增益附加效率為44%. 本電路通過良好的失真補償電路和扼流圈模型的使用，成功地改善了增益平坦度. |
| 英文摘要: | |
| 外單位作者單位: | |
| 備注: | |
科研產(chǎn)出