| 論文編號(hào): | |
| 第一作者所在部門: | |
| 論文題目: | High-Breakdown-Voltage Submicron InGaAs/InP Double Heterojunction Bipolar Transistor with ft=170GHz and fmax=253GHz |
| 論文題目英文: | |
| 作者: | JIN Zhi,SU Yong-Bo,CHENG Wei,LIU Xin-Yu,XU An-Hai,QI Ming |
| 論文出處: | |
| 刊物名稱: | Chinese Physics Letters |
| 年: | 2008 |
| 卷: | 25 |
| 期: | 7 |
| 頁(yè): | 2686-2689 |
| 聯(lián)系作者: | JIN Zhi |
| 收錄類別: | |
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| 英文摘要: | |
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科研產(chǎn)出