| 論文編號(hào): | |
| 第一作者所在部門(mén): | |
| 論文題目: | InGaAs/InP DHBT的基極-集電極設(shè)計(jì) |
| 論文題目英文: | |
| 作者: | 金智，劉新宇 |
| 論文出處: | |
| 刊物名稱(chēng): | 中國(guó)科學(xué)E輯 |
| 年: | 2008 |
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| 期: | 09 |
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| 聯(lián)系作者: | 金智 |
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| 影響因子: | |
| 摘要: | 研究了在InGaAs/InP DHBT中,組分漸變的集電極和δ摻雜濃度對(duì)Kirk電流的影響.提出了有效過(guò)渡層的概念.在組分非連續(xù)漸變的結(jié)構(gòu)中,有效過(guò)渡層擴(kuò)展到InGaAs的縮進(jìn)層中.對(duì)不同的Kirk效應(yīng)條件,給出了最大摻雜濃度、最大Kirk電流密度以及相對(duì)應(yīng)的δ摻雜濃度的公式.最大集電極摻雜濃度和最大Kirk電流密度都依賴(lài)于δ摻雜層.優(yōu)化δ摻雜能大幅度提高器件的Kirk電流密度. |
| 英文摘要: | |
| 外單位作者單位: | |
| 備注: | |
科研產(chǎn)出