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| 第一作者所在部門: | |
| 論文題目: | 截止頻率為238GHz的亞微米InGaAs/InP異質(zhì)結(jié)雙極晶體管 |
| 論文題目英文: | |
| 作者: | 金智，程偉，劉新宇，徐安懷，齊鳴 |
| 論文出處: | |
| 刊物名稱: | 《半導(dǎo)體學(xué)報》 |
| 年: | 2008 |
| 卷: | 29 |
| 期: | 10 |
| 頁: | 1898-1901 |
| 聯(lián)系作者: | 金智 |
| 收錄類別: | |
| 影響因子: | |
| 摘要: | 研制成功了一種無微空氣橋的亞微米InP基異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT) . 發(fā)展了小于100nm的發(fā)射極側(cè)向腐蝕工藝，實現(xiàn)了亞微米的InP基HBT. 發(fā)射極寬度的減小有效提高了頻率特性，發(fā)射極面積為0.8μm×15μm的HBT的電流增益截止頻率達到了238GHz. 發(fā)展了基極-集電極的側(cè)向過腐蝕工藝，有效減小了結(jié)面積，提高了最大振蕩頻率. Kirk電流密度達到了3.1mA/μm2. 據(jù)我們所知，電流增益截止頻率是目前國內(nèi)三端器件中最高的，Kirk電流密度是國內(nèi)報道的HBT中最高的. 這對于HBT器件在超高速電路中的應(yīng)用具有十分重要的意義. |
| 英文摘要: | |
| 外單位作者單位: | |
| 備注: | |
科研產(chǎn)出