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| 第一作者所在部門: | |
| 論文題目: | 應(yīng)用于AlGaN/GaN HEMTs MMIC薄膜電阻的特性與可靠性 |
| 論文題目英文: | |
| 作者: | 姚小江，蒲顏，劉新宇，吳偉超 |
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| 刊物名稱: | 《半導體學報》 |
| 年: | 2008 |
| 卷: | 29 |
| 期: | 7 |
| 頁: | 1246-1248 |
| 聯(lián)系作者: | 姚小江 |
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| 摘要: | TaN和NiCr是AlGaN/GaN HEMTs微波集成電路中薄膜電阻最為常用的兩種材料. 文中對比了在SiC襯底上生長的這兩種材料的薄膜電阻的可靠性. 通過TaN和NiCr薄膜電阻的對比，發(fā)現(xiàn)TaN薄膜電阻的方塊電阻（Rs）隨著退火溫度的上升而增大，然而NiCr薄膜電阻的Rs卻出現(xiàn)相反的趨勢. 同時發(fā)現(xiàn)隨著退火溫度的上升TaN薄膜電阻的Rs和接觸電阻（RC）的變化遠遠小于NiCr薄膜電阻的變化. 在400℃退火及等離子刻蝕機的氧等離子暴露后，TaN薄膜電阻的Rs只下降了0.7Ω，大概2.56% ，并且RC上升了0.1Ω，大概6.6%. 但是NiCr薄膜電阻的Rs和RC在不同的退火條件下經(jīng)過氧等離子暴露后發(fā)生了很大的變化. 因此，TaN薄膜電阻在氮氣保護下經(jīng)過400℃退火后在氧等離子暴露下更為穩(wěn)定. |
| 英文摘要: | |
| 外單位作者單位: | |
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科研產(chǎn)出