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| 第一作者所在部門: | |
| 論文題目: | 考慮載流子速度和耗盡層寬度隨電壓變化的VBIC模型 |
| 論文題目英文: | |
| 作者: | 葛霽，金智，劉新宇，程偉，王顯泰，陳高鵬，吳德馨 |
| 論文出處: | |
| 刊物名稱: | 《半導(dǎo)體學(xué)報》 |
| 年: | 2008 |
| 卷: | 29 |
| 期: | 11 |
| 頁: | 2270-2274 |
| 聯(lián)系作者: | 葛霽 |
| 收錄類別: | |
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| 摘要: | 針對VBIC (vertical bipolar inter-company）模型對HBT多電壓偏置下S參數(shù)擬合不夠準(zhǔn)確的問題，考慮了GaAs基HBT集電區(qū)載流子速度和耗盡層寬度隨電壓的變化關(guān)系，建立了隨外加電壓變化的集電區(qū)渡越時間方程. 將得到的渡越時間方程內(nèi)嵌到VBIC模型中，改進(jìn)的模型提高了GaAs基HBT多電壓偏置下S參數(shù)的擬合精度，其在很寬的電壓范圍內(nèi)均與實際測試結(jié)果符合良好. |
| 英文摘要: | |
| 外單位作者單位: | |
| 備注: | |
科研產(chǎn)出