| 論文編號(hào): | |
| 第一作者所在部門: | |
| 論文題目: | 碳致深能級(jí)引起的AlGaN/GaN HEMT電流崩塌現(xiàn)象 |
| 論文題目英文: | |
| 作者: | 龐磊，李誠(chéng)瞻，王冬冬，黃俊，曾軒，劉新宇，劉鍵，鄭英奎，和致經(jīng) |
| 論文出處: | |
| 刊物名稱: | 《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》 |
| 年: | 2008 |
| 卷: | 29 |
| 期: | 6 |
| 頁(yè): | 1066-1069 |
| 聯(lián)系作者: | 龐磊 |
| 收錄類別: | |
| 影響因子: | |
| 摘要: | AlGaN/GaN HEMT良好的功率特性雖然被大量報(bào)導(dǎo)，但其電流崩塌現(xiàn)象仍是一個(gè)令人困擾的問(wèn)題，作者通過(guò)實(shí)驗(yàn)證明了導(dǎo)致其電流崩塌的一個(gè)因素. 兩個(gè)AlGaN/GaN樣片被分別放在純氮?dú)夂蛽教嫉牡獨(dú)鈿夥罩锌焖偻嘶?，利用XPS證明了后者中的碳元素含量遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于前者. 比較二者的I-V特性曲線，可發(fā)現(xiàn)碳雜質(zhì)的引入可使AlGaN/GaN HEMT電流崩塌程度大大增加. 分析表明：由碳雜質(zhì)引入導(dǎo)致的深能級(jí)使得負(fù)柵壓下俘獲溝道中的載流子在正柵壓下不能立刻釋放，從而引起AlGaN/GaN HEMT中的電流崩塌現(xiàn)象. |
| 英文摘要: | |
| 外單位作者單位: | |
| 備注: | |
科研產(chǎn)出