| 論文編號: | |
| 第一作者所在部門: | |
| 論文題目: | 200nm柵長In0.52Al0.48As／In0.6Ga0.4As MHEMTs器件 |
| 論文題目英文: | |
| 作者: | 黎明，張海英，徐靜波，付曉君 |
| 論文出處: | |
| 刊物名稱: | 《半導體學報》 |
| 年: | 2008 |
| 卷: | 29 |
| 期: | 9 |
| 頁: | 1679-1681 |
| 聯(lián)系作者: | 黎明 |
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| 影響因子: | |
| 摘要: | 利用電子束光刻技術制備出200nm柵長GaAs基InAIAs/InGaAs MHEMT器件.Ti/Pt/Au蒸發(fā)作為柵極金屬.同時為了減少柵寄生電容和寄生電阻,采用3層膠工藝,實現(xiàn)了T 型柵. GaAs基MHEMT 器件獲得了優(yōu)越的直流和高頻性能,跨導、飽和漏電流密度、域值電壓、電流增益截止頻率和最大振蕩頻率分別達到510mS/mm, 605mA/mm, -1.8V, 110GHz及 72GHz，為進一步研究高性能GaAs基MHEMT器件奠定了基礎. |
| 英文摘要: | |
| 外單位作者單位: | |
| 備注: | |
科研產(chǎn)出