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| 第一作者所在部門: | |
| 論文題目: | 增強型InGaP／AlGaAs／InGaAs PHEMT柵退火工藝 |
| 論文題目英文: | |
| 作者: | 黎明，張海英，徐靜波，李瀟，劉亮，付曉君 |
| 論文出處: | |
| 刊物名稱: | 《半導(dǎo)體學(xué)報》 |
| 年: | 2008 |
| 卷: | 29 |
| 期: | 8 |
| 頁: | 1487-1490 |
| 聯(lián)系作者: | 黎明 |
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| 影響因子: | |
| 摘要: | 針對InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT器件，進行了Ti/Pt/Au和Pt/Ti/Pt/Au兩種柵金屬結(jié)構(gòu)的退火實驗，通過實驗研究比較，得到了更適用于增強型器件的退火工藝，利用Ti/Pt/Au結(jié)構(gòu)，在320℃退火40min，使器件閾值電壓正向移動大約200mV，從而成功制作了高成品率的穩(wěn)定一致的增強型器件，保證了增強型器件閾值電壓在零以上. |
| 英文摘要: | |
| 外單位作者單位: | |
| 備注: | |
科研產(chǎn)出