| 論文編號(hào): | |
| 第一作者所在部門: | |
| 論文題目: | T形柵In0.52Al0.48 As／In0.6Ga0.4As MHEMTs功率器件 |
| 論文題目英文: | |
| 作者: | 黎明，張海英，徐靜波，付曉君 |
| 論文出處: | |
| 刊物名稱: | 《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》 |
| 年: | 2008 |
| 卷: | 29 |
| 期: | 12 |
| 頁: | 2331-2334 |
| 聯(lián)系作者: | 黎明 |
| 收錄類別: | |
| 影響因子: | |
| 摘要: | 利用電子束光刻技術(shù)制備了200nm柵長(zhǎng)GaAs基T型柵InAlAs/InGaAs MHEMT 器件.該GaAs基MHEMT器件具有優(yōu)越的直流、高頻和功率性能,跨導(dǎo)、飽和漏電流密度、閾值電壓、電流增益截止頻率和最大振蕩頻率分別達(dá)到510mS/mm, 605mA/mm, -1.8V, 138GHz 和78GHz. 在8GHz下,輸入功率為-0.88(2.11)dBm時(shí),輸出功率、增益、PAE、輸出功率密度分別為14.05(13.79)dBm,14.9(11.68)dB,67.74 (75.1)%,254(239)mW/mm，為進(jìn)一步研究高性能GaAs基MHEMT功率器件奠定了基礎(chǔ). |
| 英文摘要: | |
| 外單位作者單位: | |
| 備注: | |
科研產(chǎn)出