| 論文編號(hào): | |
| 第一作者所在部門: | |
| 論文題目: | 8~20GHz GaAs pin二極管單片單刀雙擲開(kāi)關(guān) |
| 論文題目英文: | |
| 作者: | 吳茹菲，尹軍艦，劉會(huì)東，張海英 |
| 論文出處: | |
| 刊物名稱: | 《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》 |
| 年: | 2008 |
| 卷: | 29 |
| 期: | 10 |
| 頁(yè): | 1864-1867 |
| 聯(lián)系作者: | 吳茹菲 |
| 收錄類別: | |
| 影響因子: | |
| 摘要: | 基于中國(guó)科學(xué)院微電子研究所的GaAs pin二極管工藝，設(shè)計(jì)、制作并測(cè)試了一種單片單刀雙擲開(kāi)關(guān). 在8~20GHz頻段內(nèi)，開(kāi)關(guān)正向?qū)〞r(shí)的插入損耗最小值為1.5dB，輸入和輸出端的回波損耗大于10dB；開(kāi)關(guān)關(guān)斷狀態(tài)的隔離度最大值為32dB. 開(kāi)關(guān)的支路采用串聯(lián)-并聯(lián)-并聯(lián)的結(jié)構(gòu)，其中的GaAs pin二極管基區(qū)厚為2.5μm. 在1.3V的偏置電壓下，正向?qū)ǖ拇?lián)二極管工作電流為7mA. |
| 英文摘要: | |
| 外單位作者單位: | |
| 備注: | |
科研產(chǎn)出