| 論文編號(hào): | |
| 第一作者所在部門: | |
| 論文題目: | 8W AlGaN/GaN HEMT功率器件的研制 |
| 論文題目英文: | |
| 作者: | 劉果果，鄭英奎，魏珂，李誠(chéng)瞻，劉新宇，和致經(jīng) |
| 論文出處: | |
| 刊物名稱: | 《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》 |
| 年: | 2008 |
| 卷: | 29 |
| 期: | 7 |
| 頁(yè): | 1354-1356 |
| 聯(lián)系作者: | 劉果果 |
| 收錄類別: | |
| 影響因子: | |
| 摘要: | 報(bào)道了基于國(guó)產(chǎn)襯底以及國(guó)產(chǎn)外延的AlGaN/GaN HEMT X波段功率器件的研究進(jìn)展. 利用國(guó)產(chǎn)襯底以及外延材料，優(yōu)化了器件柵場(chǎng)板的結(jié)構(gòu)，研制成功柵長(zhǎng)0.35μm，柵寬為1mm 的微波功率器件. 該器件輸出電流密度達(dá)到0.83A/mm，擊穿電壓大于100V，跨導(dǎo)為236mS/mm，截止頻率（fT）達(dá)到30GHz，最大振蕩頻率（fmax）為32GHz, 8GHz下在片進(jìn)行連續(xù)波測(cè)試，漏端電壓為40V時(shí)測(cè)試得到功率增益4.9dB，輸出功率達(dá)8W，功率附加效率（PAE）為45%. |
| 英文摘要: | |
| 外單位作者單位: | |
| 備注: | |
科研產(chǎn)出