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| 第一作者所在部門: | |
| 論文題目: | 凹柵槽AlGaN/GaN HEMTs器件退火處理效應(yīng) |
| 論文題目英文: | |
| 作者: | 劉果果，黃俊，魏珂，劉新宇，和致經(jīng) |
| 論文出處: | |
| 刊物名稱: | 《半導(dǎo)體學(xué)報》 |
| 年: | 2008 |
| 卷: | 29 |
| 期: | 12 |
| 頁: | 2326-2330 |
| 聯(lián)系作者: | 劉果果 |
| 收錄類別: | |
| 影響因子: | |
| 摘要: | 研究了如何減小等離子體干法刻蝕導(dǎo)致的大肖特基漏電. 用X射線光電能譜（XPS）分析刻蝕前后的AlGaN表面，發(fā)現(xiàn)刻蝕后AlGaN表面出現(xiàn)了N空位，導(dǎo)致肖特基柵電流偏離熱電子散射模型，N空位做為一種缺陷使得肖特基結(jié)的隧穿幾率增大，反向漏電增大，肖特基勢壘降低. 介紹了一種AlGaN/GaN HEMTs器件退火處理方法，優(yōu)化退火條件為400℃, N2氛圍退火10min. 退火后，柵金屬中的Ni與Ga原子反應(yīng)從而減少N空穴造成的缺陷，器件肖特基反向漏電減小三個量級，正向開啟電壓升高，理想因子從3.07降低到了2.08. |
| 英文摘要: | |
| 外單位作者單位: | |
| 備注: | |
科研產(chǎn)出