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| 第一作者所在部門: | |
| 論文題目: | Si3 N4/SiO2疊層柵MOS電容抗輻照總劑量研究 |
| 論文題目英文: | |
| 作者: | 蔡小五 海潮和 陸江 王立新 劉剛 劉夢新 |
| 論文出處: | |
| 刊物名稱: | 《核電子學與探測技術(shù)》 |
| 年: | 2008 |
| 卷: | 28 |
| 期: | 4 |
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| 聯(lián)系作者: | 蔡小五 |
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| 摘要: | 本論文主要分析了SiN4/SiO2疊層柵MOS電容總劑量效應,疊層柵MOS電容中SiO2為20nm,Si3N4厚度分別為40nm和110nm,通過輻照前后電容CV曲線的對比分析,發(fā)現(xiàn)CV曲線的正方向漂移主要是由于界面態(tài)電荷的作用,同時氧化物俘獲電荷也起到一定的作用.同時也發(fā)現(xiàn)疊層柵中Si3N4 越厚,將產(chǎn)生越多的界面態(tài)電荷和氧化物俘獲電荷. |
| 英文摘要: | |
| 外單位作者單位: | |
| 備注: | |
科研產(chǎn)出