| 論文編號(hào): | |
| 第一作者所在部門(mén): | |
| 論文題目: | 一種PDSOI 8位MCU的瞬態(tài)實(shí)驗(yàn)與分析 |
| 論文題目英文: | |
| 作者: | 趙發(fā)展，郭天雷，蔡小五，劉剛，海潮和，楊善潮，李瑞賓，林東生 |
| 論文出處: | |
| 刊物名稱: | 《核電子學(xué)與探測(cè)技術(shù)》 |
| 年: | 2008 |
| 卷: | 28 |
| 期: | 4 |
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| 聯(lián)系作者: | 趙發(fā)展 |
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| 摘要: | 針對(duì)中國(guó)科學(xué)院微電子研究所的PDSOI 8位MCU J80C51RH設(shè)計(jì)了兩套瞬態(tài)實(shí)驗(yàn)方法，開(kāi)發(fā)了相配套的軟件和硬件，并在西北核技術(shù)研究所的強(qiáng)光一號(hào)上進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)，成功地獲得了所需要的數(shù)據(jù)，該MCU在劑量率為1E11 rad（Si）／s的瞬態(tài)輻照環(huán)境下工作正常。同時(shí)也證明了兩套測(cè)試系統(tǒng)的可靠性。 |
| 英文摘要: | |
| 外單位作者單位: | |
| 備注: | |
科研產(chǎn)出