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| 第一作者所在部門: | |
| 論文題目: | SOI NMOSFET單粒子效應(yīng)的3-D模擬 |
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| 作者: | 趙發(fā)展，郭天雷，海潮和，彭菲 |
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| 刊物名稱: | 《核電子學(xué)與探測技術(shù)》 |
| 年: | 2008 |
| 卷: | 28 |
| 期: | 1 |
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| 聯(lián)系作者: | 趙發(fā)展 |
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| 摘要: | 隨著SOI器件尺寸不斷縮小，單粒子效應(yīng)敏感區(qū)域相對有源區(qū)比例增加，對于其敏感區(qū)域的機(jī)理研究顯得越來越重要。本文利用軟件對SOI MOSFET 的敏感區(qū)域進(jìn)行了3-D空間模擬，闡述了敏感區(qū)域的機(jī)理：截止NMOSFET的反偏漏結(jié)迫使單粒子轟擊產(chǎn)生的電子空穴對分離，漏極迅速收集電子產(chǎn)生瞬時電流，空穴向體區(qū)漂移并在體區(qū)堆積，使體電勢升高導(dǎo)致寄生三極管開啟產(chǎn)生較長時間的放大電流。良好的體接觸能夠快速抽走堆積的空穴，抑制體電位的升高，降低漏極收集電流。 |
| 英文摘要: | |
| 外單位作者單位: | |
| 備注: | |
科研產(chǎn)出