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| 第一作者所在部門: | |
| 論文題目: | PDSOI體源連接環(huán)形柵nMOS特性研究 |
| 論文題目英文: | |
| 作者: | 畢津順，海潮和 |
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| 刊物名稱: | 《固體電子學(xué)研究與進展》 |
| 年: | 2008 |
| 卷: | 28 |
| 期: | 1 |
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| 聯(lián)系作者: | 畢津順 |
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| 摘要: | 提出了一種基于部分耗盡絕緣體上硅的體源連接環(huán)形柵nMOS器件,并討論了相應(yīng)的工藝技術(shù)和工作機理.采用體源連接環(huán)形柵器件結(jié)構(gòu),有效地抑制了浮體環(huán)形柵器件中存在的浮體效應(yīng)和寄生雙極晶體管效應(yīng),使器件性能得到很大的提高.消除了浮體環(huán)形柵器件的反常亞閾值斜率和Kink效應(yīng),DIBL從120.7 mV/V降低到3.45 mV/V,關(guān)態(tài)擊穿電壓從4.8 V提高到12.1 V.最后指出,體源連接環(huán)形柵器件非常適合于抗輻照加固等應(yīng)用領(lǐng)域. |
| 英文摘要: | |
| 外單位作者單位: | |
| 備注: | |
科研產(chǎn)出