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| 第一作者所在部門: | |
| 論文題目: | SOI LDMOSFET的背柵特性 |
| 論文題目英文: | |
| 作者: | 畢津順，宋李梅，海潮和，韓鄭生 |
| 論文出處: | |
| 刊物名稱: | 《半導體學報》 |
| 年: | 2008 |
| 卷: | 29 |
| 期: | 11 |
| 頁: | 2148-2152 |
| 聯(lián)系作者: | 畢津順 |
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| 影響因子: | |
| 摘要: | 在絕緣體上硅襯底上，制備了柵長為0.5μm的低勢壘體接觸結(jié)構(gòu)和源體緊密接觸結(jié)構(gòu)的橫向雙擴散功率晶體管. 詳細研究了器件的背柵特性. 背柵偏置電壓對橫向雙擴散功率晶體管的前柵亞閾值特性、導通電阻和關態(tài)擊穿特性均有明顯影響. 相比于源體緊密接觸結(jié)構(gòu)，低勢壘體接觸結(jié)構(gòu)橫向雙擴散功率晶體管的背柵效應更小，這是因為低勢壘體接觸結(jié)構(gòu)更好地抑制了浮體效應和背柵溝道開啟. 還介紹了一種絕緣體上硅橫向雙擴散功率晶體管的電路模型，其包含前柵溝道，背柵溝道和背柵偏置決定的串聯(lián)電阻. |
| 英文摘要: | |
| 外單位作者單位: | |
| 備注: | |
科研產(chǎn)出