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| 第一作者所在部門: | |
| 論文題目: | RF PDSOI LDMOS器件的電離總劑量輻照效應 |
| 論文題目英文: | |
| 作者: | 劉夢新，韓鄭生，畢津順，范雪梅，劉剛，杜寰，宋李梅 |
| 論文出處: | |
| 刊物名稱: | 《半導體學報》 |
| 年: | 2008 |
| 卷: | 29 |
| 期: | 11 |
| 頁: | 2158-2163 |
| 聯(lián)系作者: | 劉夢新 |
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| 影響因子: | |
| 摘要: | 研制了一種用于射頻領域的叉指柵PDSOI LDMOS晶體管，并分析了總劑量輻照對其靜態(tài)和小信號射頻特性的影響. 其靜態(tài)工作模式下的輻照響應由前/背柵閾值、泄漏電流、跨導和輸出特性表征，而其交流工作模式下的輻照響應由截止頻率和最高振蕩頻率表征. 實驗表明，在室溫環(huán)境下經過總劑量為1Mrad(Si)的γ射線輻照，不同尺寸和結構的射頻SOI LDMOS晶體管的各項指標均表現(xiàn)出明顯退化，并且僅當器件工作在靜態(tài)模式時LBBC LDMOS才表現(xiàn)出優(yōu)于BTS LDMOS的抗輻照性能. |
| 英文摘要: | |
| 外單位作者單位: | |
| 備注: | |
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