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| 第一作者所在部門: | |
| 論文題目: | 總劑量輻照加固的PDSOI CMOS 3線-8線譯碼器 |
| 論文題目英文: | |
| 作者: | 劉夢新, 韓鄭生, 李多力, 劉剛, 趙超榮, 趙發(fā)展 |
| 論文出處: | |
| 刊物名稱: | 《半導體學報》 |
| 年: | 2008 |
| 卷: | 29 |
| 期: | 6 |
| 頁: | 1036-1039 |
| 聯(lián)系作者: | 劉夢新 |
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| 影響因子: | |
| 摘要: | 報道了一種制作在SIMOX晶圓之上的總計量加固的2μm部分耗盡SOI CMOS 3線-8線譯碼器電路，其輻照特性由晶體管的閾值電壓、電路的靜態(tài)泄漏電流以及電流電壓特性曲線表征. 實驗表明，該譯碼器的抗總劑量能力達3E5rad(Si), nMOS管和pMOS管在最壞情況下前柵溝道閾值漂移分別小于 20和70mV，并且在輻照、退火以及后續(xù)追加輻照過程中無明顯的泄漏電流增加，電路的功能并未退化. |
| 英文摘要: | |
| 外單位作者單位: | |
| 備注: | |
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