| 論文編號(hào): | |
| 第一作者所在部門: | |
| 論文題目: | 磷化銦復(fù)合溝道高電子遷移率晶體管擊穿特性研究 |
| 論文題目英文: | |
| 作者: | 李瀟,張海英,尹軍艦,劉亮,徐靜波,黎明,葉甜春,龔敏 |
| 論文出處: | |
| 刊物名稱: | 《物理學(xué)報(bào)》 |
| 年: | 2007 |
| 卷: | 56 |
| 期: | 7 |
| 頁(yè): | 4117-4121 |
| 聯(lián)系作者: | 李瀟 |
| 收錄類別: | |
| 影響因子: | |
| 摘要: | 用密度梯度量子模型定量研究了磷化銦(InP)復(fù)合溝道高電子遷移率晶體管(HEMT)的擊穿特性，考慮了復(fù)合溝道內(nèi)碰撞電離以及溝道量子效應(yīng)，重點(diǎn)研究了器件擊穿電壓隨In0.7Ga0.3As溝道厚度的變化關(guān)系，提出了提高擊穿電壓的方法，采用商用器件模擬軟件Sentaurus模擬了器件的開態(tài)擊穿電壓，對(duì)比了實(shí)驗(yàn)和模擬的結(jié)果. 研究表明：適當(dāng)減小In0.7Ga0.3As溝道層的厚度可以在保持器件飽和電流基本不變的前提下大幅度提高開態(tài)擊穿電壓，這對(duì)于提高InP基HEMT的功率性能具有重要意義. |
| 英文摘要: | |
| 外單位作者單位: | |
| 備注: | 中文關(guān)鍵詞：磷化銦 高電子遷移率晶體管 密度梯度模型 擊穿
基金項(xiàng)目：國(guó)家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號(hào)：60276021)和國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究規(guī)劃(批準(zhǔn)號(hào)：G2002CB311901)資助的課題. PACC代碼：7280E，7360L，6185 |
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