| 論文編號: | |
| 第一作者所在部門: | |
| 論文題目: | In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As HEMTs with fmax of 183GHz |
| 論文題目英文: | |
| 作者: | Liu Liang,Zhang Haiying,Yin Junjian,Li Xiao,Yang Hao,Xu Jingbo,Song Yuzhu,Zhang Jian,Niu Jiebin,Liu Xunchun |
| 論文出處: | |
| 刊物名稱: | The Chinese Journal of Semiconductors |
| 年: | 2007 |
| 卷: | 28 |
| 期: | 12 |
| 頁: | 1860-1863 |
| 聯(lián)系作者: | Liu Liang |
| 收錄類別: | |
| 影響因子: | |
| 摘要: | |
| 英文摘要: | |
| 外單位作者單位: | |
| 備注: | Fund Project：國家重點基礎研究規(guī)劃項目 |
科研產(chǎn)出