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| 第一作者所在部門: | |
| 論文題目: | 等離子體刻蝕凹柵槽影響AlGaN/GaN HEMT柵電流的機(jī)理 |
| 論文題目英文: | |
| 作者: | 李誠瞻,龐磊,劉新宇,黃俊,劉鍵,鄭英奎,和致經(jīng) |
| 論文出處: | |
| 刊物名稱: | 《半導(dǎo)體學(xué)報》 |
| 年: | 2007 |
| 卷: | 28 |
| 期: | 11 |
| 頁: | 1777-1781 |
| 聯(lián)系作者: | 李誠瞻 |
| 收錄類別: | |
| 影響因子: | |
| 摘要: | 對等離子體干法刻蝕形成的凹柵槽結(jié)構(gòu)AlGaN/GaN HEMTs肖特基電流增加的機(jī)理進(jìn)行了研究. 實(shí)驗(yàn)表明，凹柵槽結(jié)構(gòu)AlGaN/GaN HEMTs肖特基柵電流增加一個數(shù)量級以上，擊穿電壓有一定程度的下降. 利用AFM和XPS的方法分析AlGaN表面，等離子體干法刻蝕增加了AlGaN表面粗糙度，甚至出現(xiàn)部分尖峰狀突起，增大了柵金屬與AlGaN的接觸面積；另一方面，等離子體轟擊使AlGaN表面出現(xiàn)一定量的N空位，相當(dāng)于柵金屬與AlGaN接觸界面處出現(xiàn)n型摻雜層，使肖特基結(jié)的隧道效應(yīng)加強(qiáng)，降低了肖特基勢壘. 由此表明，AlGaN表面粗糙度的增加以及一定量的N空位出現(xiàn)是引起柵電流急劇增大的根本原因. |
| 英文摘要: | |
| 外單位作者單位: | |
| 備注: | 中文關(guān)鍵詞：等離子體刻蝕 凹柵槽 柵電流 N空位 |
科研產(chǎn)出