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| 第一作者所在部門: | |
| 論文題目: | 用于CMOS工藝的雙功函數(shù)Ni全硅化物金屬柵 |
| 論文題目英文: | |
| 作者: | 周華杰,徐秋霞 |
| 論文出處: | |
| 刊物名稱: | 半導(dǎo)體學(xué)報 |
| 年: | 2007 |
| 卷: | 28 |
| 期: | 10 |
| 頁: | 1532-1539 |
| 聯(lián)系作者: | 周華杰 |
| 收錄類別: | |
| 影響因子: | |
| 摘要: | 研究了Ni全硅化物金屬柵功函數(shù)調(diào)整技術(shù). 研究表明，通過在多晶硅硅化前向多晶硅柵內(nèi)注入雜質(zhì)能夠有效地調(diào)整Ni全硅化物金屬柵的柵功函數(shù). 通過注入p型或n型雜質(zhì)，如BF2, As或P，能夠?qū)i全硅化物金屬柵的功函數(shù)調(diào)高或調(diào)低，以分別滿足pMOS管和nMOS管的要求. 但是注入大劑量的As雜質(zhì)會導(dǎo)致分層現(xiàn)象和EOT變大，因此As不適合用來調(diào)節(jié)Ni全硅化物金屬柵的柵功函數(shù). 由于FUSI工藝會導(dǎo)致全硅化金屬柵電容EOT減小，全硅化金屬柵電容的柵極泄漏電流大于多晶硅柵電容. |
| 英文摘要: | |
| 外單位作者單位: | |
| 備注: | 中文關(guān)鍵詞：金屬柵 全硅化 硅化物 |
科研產(chǎn)出